структура последовательные eeprom

Функция защиты от несанкционированной записи

Во всех семействах EEPROM с последовательным интерфейсом компании ROHM реализована функция автоинкремент адреса чтения. Например, в микросхемах семейства BR93L для чтения последовательности слов достаточно передать столько пачек тактирующих импульсов (пачка содержит 16 импульсов), сколько необходимо считать слов в пределах одной страницы. При этом необходимо удерживать сигнал CS в состоянии 1 в течение всей процедуры чтения.

Автоинкремент адреса чтения

Для предотвращения воздействия шумов в микросхемах серии BR93L и BR90 в цепях тактового сигнала применён триггер Шмита, а в микросхемах серии BR24L, BR34L02-W и BU9882-W, кроме того, применён встроенный фильтр помех.

Рис. 2. Пример неправильной интерпретации команды (для BR93L)

Под воздействием шумов или перекрёстных помех, наведенных на вход тактирования EEPROM, существует опасность возникновения задержки передачи. В этом случае произойдет ошибочное распознавание команды, в результате чего информация будет искажена или потеряна. Например, вместо команды чтения может быть распознана неверная команда стирания (рис. 2).

Встроенный фильтр в цепи тактового сигнала

Для предотвращения некорректной работы при снижении напряжения питания в EEPROM фирмы ROHM применён встроенный детектор напряжения питания, который запрещает запись при снижении напряжения питания ниже 1,2 В (2 В для микросхем серии BR24C21 и BU9882-W).

В традиционных микросхемах памяти EEPROM при снижении напряжения питания ниже порогового уровня не гарантируется правильная запись информации. Работа внутреннего контроллера также становится нестабильной.

Встроенный детектор напряжения питания

Рис. 1. Традиционная модель ячейки памяти (а) и ячейки Double-Cell (б)

Надёжность хранения данных является ключевым качеством для микросхем памяти. На основе длительного исследования моделей ошибок памяти, специалистами компании ROHM разработана технология Double-Cell EEPROM. Данные сохраняются параллельно в двух ячейках. В случае возникновения ошибки в одной ячейке, другая продолжает функционировать правильно. В результате верные данные будут прочитаны независимо от ошибки в одной из ячеек. Технология Double-Cell даёт возможность создавать высоконадёжные микросхемы памяти, в которых достигается почти нулевое количество случайных ошибок, что невозможно при традиционной структуре EEPROM. Отличие традиционных ячеек памяти от ячеек типа Double-Cell показано на рис. 1.

Высокая надежность ячеек Double-Cell

Японская компания ROHM относительно недавно появилась на российском рынке электронных компонентов. Несмотря на это, она имеет огромный ассортимент компонентов, способных конкурировать с продукцией других более известных производителей. В данной статье рассматриваются электрически программируемые микросхемы памяти EEPROM с последовательным интерфейсом компании ROHM. Повышение скорости обмена данными делает применение EEPROM с последовательным интерфейсом проще и выгоднее по сравнению с параллельными EEPROM.

EEPROM с последовательным интерфейсом компании ROHM

object width="140" height="200"

Электромеханика

Главная страница

     

EEPROM с последовательным интерфейсом компании ROHM